삼성전자 연구진이 MRAM(자기저항메모리, Magnetoresistive Random Access Memory)을 기반으로 한 인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅을 세계 최초로 구현했다.
삼성전자는 연구 결과를 12일(현지시각) 세계적인 학술지 '네이처(Nature)'에 게재했다.
이번 연구에는 삼성전자 종합기술원 정승철 전문연구원이 제1저자로, 함돈희 종합기술원 펠로우 및 하버드대학교 교수와 김상준 종합기술원 마스터가 공동 교신저자로 참여했다.
인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내에서 데이터의 저장 뿐 아니라 데이터의 연산까지 수행하는 최첨단 칩 기술이다. 메모리 내 대량의 정보를 이동 없이 메모리 내에서 병렬 연산하기 때문에 전력 소모가 현저히 낮아, 차세대 저전력 인공지능(AI) 칩을 만드는 유력한 기술로 주목받고 있다.
비휘발성 메모리인 MRAM은 데이터 안정성이 높고 속도가 빠르지만 낮은 저항값으로 인해 인-메모리 컴퓨팅에 적용해도 전력 이점이 크지 않았다.
삼성전자 연구진은 MRAM의 한계를 기존의 '전류 합산' 방식이 아닌 새로운 개념의 '저항 합산' 방식 인-메모리 컴퓨팅 구조를 제안해 저전력 설계에 성공했다.
삼성전자 종합기술원 정승철 전문연구원은 "인-메모리 컴퓨팅은 메모리와 연산이 접목된 기술로, 기억과 계산이 혼재되어 있는 사람의 뇌와 유사한 점이 있다"며 "이번 연구가 향후 실제 뇌를 모방하는 뉴로모픽 기술의 연구 및 개발에도 도움이 될 수 있을 것"이라고 말했다.
김상록 기자 kdf@kdfnews.com
저작권자 © 한국면세뉴스 무단전재 및 재배포 금지
